Kod  osnovnih poluprovodnike opaža se da je pokretljivost elektrona veća od pokretljivosti šupljina, a to je naročito izraženo kod galijum arsenida. Pri relativno slabim električnim poljima pokretljivost je konstantna veličina, međutim pri jačim poljima brzina elektrona i šupljina dolazi u zasićenje čime se pokretljivost smanjuje. Zavisnost promjene pokretljivosti od jačine elektrčnog polja prikazano je na slici.

Do određene vrijednosti jačine polja postoji proporcionalnost između brzine elektrona odnosno šupljina i jačine polja. Funkcija je linearna do vrijednosti te jačine polja. Pri jačinama polja dolazi do zasićenja brzine i proporcialnosti između brzine i jačine električnog polja se gubi i kriva postaje nelinearna.