Ako čistom poluprovodniku dodamo trovalentnu primjesu dobijamo strukturu prikazanu na slici. Već na temperaturi nula Kelvina četvrta valencija atoma trovalentne primjese nije popunjena pa se tu nalazi defektno mjesto odnosno šupljina. Sa porastom temperature dolazi do pucanja ostalih valentnih veza te nastaju slobodni elektroni i šupljine odnosno dolazi do generacije i rekombinacije. Očigledno je da će u kristalu biti ispunjen uslov da je koncentracija šupljina veća od koncentracije elektrona. To znači da su ovdje šupljine osnovni nosioci elektriciteta a elektroni sporedni.
Atom trovalentne primjese poslije popunjvanja četvrte kovalentne veze postoje negativan jon pa takav atom nazivamo akceptor jer atom primjese prihvata elektron koji popunjava upražnjeno mjesto. 

Koncentraciju akceptora označit ćemo sa Na i ona predstavlja broj atoma trovalentnih primjesa u jedinici zapremine. I u ovom slučaju je na sobnoj temperaturi koncentracija šupljina približno jednaka koncentraciji akceptora. Na taj način se tehnološkim postupkom dodavanja primjesa direktno utječe na koncentraciju osnovnih nosilaca elektriciteta u p tipu poluprovodnika a samim time i na provodnost poluprovodnika.